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産(chǎn)品中(zhōng)心
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首頁(yè)産(chǎn)品中(zhōng)心HME - H7P20
HME - H7P20 系列産(chǎn)品

HME-H7系列采用(yòng)低功耗22nm 技(jì )術,集成了高性能(néng)ARM Cortex-M3 MCU、外圍設備與大容量片上SRAM。

通過使用(yòng)HME-H7系列可(kě)配置的軟核IP、硬核IP和MCU,設計者可(kě)以專注自身應用(yòng)設計,從而提升生産(chǎn)效率。

作(zuò)為(wèi)高性能(néng)器件,HME-H7系列可(kě)廣泛應用(yòng)于高性能(néng)MCU控制和處理(lǐ)等的多(duō)種領域,支持多(duō)種高帶寬傳感器和顯示接口,特别适合嵌入式視覺應用(yòng)方面,如LED顯示、TCON與工(gōng)業控制。

産(chǎn)品特性
産(chǎn)品圖表
應用(yòng)案例
技(jì )術文(wén)檔

特性

  • 基于SRAM的FPGA架構

- 多(duō)達12K的6輸入查找表

- 多(duō)達23,040的DFF寄存器

- 性能(néng)高達220MHz

  • 嵌入式存儲模塊

- 128個9Kb可(kě)編程雙端口DPRAM

  • 嵌入式DSP模塊(MAC)

- 32個DSP 56V2模塊或128個10x10 DSP模塊

  • 時鍾網絡

- 32個de-skew全局時鍾

- 1個OSC,頻率精(jīng)度±5%

- 2個PLL

- 系統内動态時鍾管理(lǐ)

  • I/O

- 3.3/2.5/1.8/1.5/1.2V LVTTL/LVCMOS常規I/O

- 可(kě)編程源同步I/O

- MIPI D-PHY、LVDS Rx、LVDS Tx、BLVDS

- LVDS I/O速率高達1200Mb/s

MCU

  • ARM Cortex-M3 MCU

- 32位高性能(néng)處理(lǐ)器,頻率高達300MHz

- 出色的快速中(zhōng)斷處理(lǐ)性能(néng)

- 強化斷點和跟蹤調試系統

- 高效處理(lǐ)器核心、系統和存儲

- 集成睡眠模式

存儲

  • 嵌入式SRAM存儲

  • 18個32Kx32位SRAM,總計2.2MB


型号  H7P20-M0H1  H7P20-M1H1  H7P20-M2H1 H7P20-S1H1  H7P20-M0X1  H7P20-M0A1

可(kě)編程邏輯塊(PLB)

Logic cells(K)  20  20  20  20 20  20
LUT6 11,520 11,520 11,520 11,520 11,520 11,520
Register 23,040 23,040 23,040 23,040 23,040 23,040

嵌入式存儲模塊(EMB)

 9Kb 128 128 128 128 128 128
Max(Kb) 1,152 1,152 1,152 1,152 1,152 1,152
DSP 18b*18b  32  32  32  32 32 32
PLL 2 2 2 2 2 2
OSC RC 1 1 1 1 1 1
MCU Cortex-M3 1 1 1 1 1 1
UART 3 3 3 3 3 3
I2C 3 3 3 3 3 3
SPI 3 3 3 3 3 3
GPIO 2 2 2 2 2 2
Timer 2 2 2 2 2 2
WDG 1 1 1 1 1 1
DMA 1 1 1 1 1 1
SRAM 128KB  18 18 18 18 18 18
Total (KB)  2,256 2,256 2,256 2,256 2,256 2,256
 pSRAM 32Mb 0 1 2 0 0 0
Total(Mb) 0 32 64 0 0 0
SDRM 64Mb 0 0 0 1 0 0
Total(Mb) 0 0 0 64 0 0
 eFuse  128b 1 1 1 1 1 1
封裝(zhuāng)(單位:mm) 最大用(yòng)戶I/O LVDS通道)
LQFP176 (22.00x22.00, 0.4 pitch)  142 (0) 142 (0) 142 (0) - - -
FBGA256 (17.00x17.00, 1.0 pitch) - - -   186 (0) 179 (0)
VFBGA324 (15.00x15.00, 0.8 pitch)  - - -   210 (24) -
TFBGA213 (12.00x12.00, 0.8 pitch) - - - 173 (18) -  -

 

應用(yòng)案例
技(jì )術文(wén)檔
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