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HME-P3系列FPGA集成了高性能(néng)Cortex-M3 MCU、外圍設備與片上SRAM等功能(néng)模塊。作(zuò)為(wèi)高性能(néng)器件，HME-P3系列可(kě)廣泛應用(yòng)于高性能(néng)實時運動控制和圖像處理(lǐ)等多(duō)種領域，支持高帶寬MIPI和LVDS接口，特别适合嵌入式視覺應用(yòng)及工(gōng)業控制等方面，如工(gōng)業相機、伺服驅動等。
通過使用(yòng)HME-P3系列可(kě)配置的軟核IP、硬核IP和MCU及外設，設計者可(kě)以更加專注自身應用(yòng)設計，高效快速使産(chǎn)品面市。
HME-P3系列FPGA特性
基于SRAM的FPGA架構
- 多(duō)達70K的6輸入查找表，等價于110K邏輯單元
- 多(duō)達139,200的DFF寄存器
嵌入式存儲模塊
- 720個9Kb 可(kě)編程雙端口DPRAM，共6,480Kb
嵌入式DSP模塊
- 360個18*18 DSP（MAC）模塊
- 或 1440個10*10 DSP（MAC）模塊
時鍾網絡
- 32個de-skew全局時鍾
- 1個OSC，頻率精(jīng)度±5%
- 13個PLL
- 系統内動态時鍾管理(lǐ)
I/O
- 3.3/2.5/1.8/1.5/1.2V LVTTL/LVCMOS常規I/O
- 可(kě)編程源同步I/O
- MIPI D-PHY、LVDS Rx、LVDS Tx、BLVDS
- LVDS I/O速率高達1,200Mb/s
MCU
ARM Cortex-M3 MCU
- 32位高性能(néng)處理(lǐ)器，頻率高達200MHz
- 出色的快速中(zhōng)斷處理(lǐ)性能(néng)
- 強化斷點和跟蹤調試系統
- 高效處理(lǐ)器核心、系統和存儲
- 集成睡眠模式
外設
- 2個計時器
- 1個看門狗計時器
- 3個UART接口
- 3個I2C接口
- 3個SPI接口
- 2個32位GPIO
- 1個DMA
存儲
嵌入式SRAM存儲
- 2個4K*32位SRAM，總計32KB
DDR3/4 LPDDR3/4接口
- 最高可(kě)達2,133Mbps
- 32b數據位寬
- 4個128b AXI端口
- 32/16位内聯式ECC或16位
配置
配置模式
- JTAG模式
- AS模式
- PS模式
- MCU模式
在系統内配置
eFuse
128-bit eFuse
封裝(zhuāng)
FBGA676
VFBGA324
| 器件型号 | P3A100 | |
| 可(kě)編程邏輯塊(PLB) | Logic cells (K) | 110 |
| LUT6 | 69,600 | |
| Register | 139,200 | |
| 嵌入式存儲模塊(EMB) | 9Kb | 720 |
| Max (Kb) (1) | 6,480 | |
| 分(fēn)布式存儲模塊(LRAM) | 64b | 8,640 |
| Max (kb) (1) | 540 | |
| DSP | 18b*18b (2) | 360 |
| PLL | 13 | |
| OSC | RC | 1 |
| MCU | Cortex-M3 | 1 |
| UART | 3 | |
| I2C | 3 | |
| SPI | 3 | |
| GPIO | 2 | |
| Timer | 2 | |
| WDG | 1 | |
| DMA | 1 | |
| SRAM | I Cache | 16KB |
| D Cache | 16KB | |
| 4K*32b | 2 | |
| Total (KB) | 64 | |
| DDR | Hard DDR3/4,LPDDR3 | 2x16b |
| eFuse | 256b | 1 |
| 封裝(zhuāng)(單位: mm) | 最大用(yòng)戶I/O（LVDS對） | |
| FBGA676 (27.00×27.00×2.20, 1.0 pitch) | 12對HP | |
| VFBGA324 (15.00×15.00×1.30, 0.8 pitch) | TBD | |
注意：
4、無硬FIFO
5、2個18*18可(kě)以實現35*35，1個18*18可(kě)以實現4個10*10
| 标題 | 版本 | 發布日期 | 文(wén)件格式 |
| HME-P3系列FPGA簡頁(yè) | 2024-07-01 |
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HME - P3（1）